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바카라 게임 에너지 절약 기술로 지구 온난화 해결!?
2008/10/01
컴퓨터 및 휴대폰과 같은 IT 장비를 전원으로 전자 기술로 현대 생활에 필수적입니다 우리에게 친숙한 Electronics (Electronics)는 이와 관련하여 중요한 역할을했지만 현재 주목을 받고있는 것은 "바카라 게임"라는 전자 기술입니다우선, 전자에는 전하와 자기의 두 가지 특성이 있으며,이 연구는 전자 공학, 전자 공학과 자기를 다루는 자력을 다루는 두 가지 분야에서 개발되었습니다 전하의 특성을 활용하는 전자 장치와 달리, 바카라 게임는 전하와 자기의 두 가지 특성을 사용하는 "미래 전자 장치"입니다 그 기능 중 하나는 광범위한 애플리케이션이며, HDD (하드 디스크 드라이브)의 용량이 더 크고 전력 소비 감소뿐만 아니라 비 휘발성 메모리 (전원을 켜지 않고도 데이터를 유지할 수 있음)에 기여할 수 있다는 것입니다 이 결과를 사용하는 HDD 자기 헤드 (쓰기/읽기 데이터에 필요한 장치)는 이미 실용적으로 사용되었으며 글로벌 시장 점유율은 무려 100%입니다! 현재 생산 된 모든 HDD에 설치되어 있습니다
바카라 게임의 역사는 1857 년 "Magnetoresistive Effect (외부 자기장으로 인해 전기 저항이 변하는 현상")의 Kelvin 경 (영어)의 발견으로 거슬러 올라갑니다 그러나이 발견은 실제 사용을 위해 낮은 MR 비율 (자기 정상 효과의 크기를 나타내는 값)을 가지며 130 년 동안 사용되지 않은 채 남아있었습니다 그 추세는 1988 년에 바뀌 었습니다 이것은 Fehl (프랑스)과 Gruenberg (독일)의 "가이 자성 마그네토 레스터 (위대한 자석성) 효과"의 발견이었습니다 장치 개발은이 현상을 사용하여 여러 국가에서 수행되었으며 1997 년에는 "GMR 헤드"로 상용화되었습니다 1995 년, 미야자키 테루 노부 교수 (Tohoku University)와 Dr Moodella (MIT)는 "TMR (Tunnel Magnetic) 효과"를 발견했습니다 "MTJ (자기 터널 접합부) 장치"의 절연체 층에서 비정질 알루미늄 산화물 (비정부 구조)을 사용하여 얻은 TMR 효과는 MR 비율이 5-15%이고 TMR 효과는 20-70%로 매우 높습니다 이 발견은 2004 년 초고 기록 밀도를 가진 "TMR 헤드"로 실질적으로 사용되었으며 세계 최초의 비 휘발성 메모리 (MRAM)의 실현으로 이어졌습니다
바카라 게임는 이러한 방식으로 꾸준히 발전하고 있지만 AIST Nano바카라 게임 Research Center의 이사 인 Yuasa Shinji의 연구를 통해 추가 진전을 이루었습니다 2003 년, 산화 마그네슘 결정을 사용하는 방법은 당시 세계에서 가장 높은 성능을 달성했으며 MR 비율은 180%입니다 그러나 이것은 단지 기본 연구의 성공 일 뿐이며 작은 특별 보드에서 하루에 약 한 장의 시트를 만들 시간이었습니다 산업 응용 분야는 대량 생산 기술 개발에 중요한 장애물이있었습니다2004 년에 Yuasa는 HDD 자기 헤드 부품 제조 장비 제조업체 인 Anerva (현재 Canon Anerva)와 공동 개발을 시작했습니다 이 개발 과정에서 많은 좋은 운이 겹치기 때문에, 우리는 "MGO-MTJ (Magnesium Oxide Crystal) 장치"에 대한 대량 생산 바카라 게임을 성공적으로 개발하여 "공통적으로"로 간주되었습니다 2007 년에는 이전 모델의 기록 밀도의 두 배 이상인 HDD 자기 헤드로서 실질적으로 사용되었습니다 이것은 현재 100% 글로벌 점유율을 가진 "MGO-MTJ 헤드"입니다
바카라 게임는 HDD 자기 헤드에 대한 기록 밀도가 크게 높을 수 있지만 반면에, 고성능 2 세대 비 휘발성 메모리 (MTT-MRAM)의 개발에 대한 희망도 있습니다 예를 들어, 컴퓨터의 경우 전원이 꺼져 있어도 데이터를 보유 할 수있는 MTT-MRAM으로 바꾸면 키를 눌러 잠시 켜면 대기 전원이 필요하지 않습니다 이러한 "정상적인 컴퓨터"를 실질적으로 사용하는 경우 에너지의 약 80%를 절약 할 수 있습니다2006 년, "Nedo 바카라 게임 Nonvolatile Functional Technology Project"는 MTT-MRAM의 실제 적용을 목표로 AIST와 Toshiba에 의해 시작되었습니다 우리는 두 기술을 결합한 "수직 자화 MTJ 요소"를 개발했습니다 이것은 "스핀 토크 자화 반전"이라는 새로운 작문 기술로 메모리에 쓰기의 효율성을 높이고 MRAM의 더 큰 용량을 초래합니다 MTT-MRAM의 샘플 배송은 2014 년에 시작되었으며, 기가비트 (GBIT, G는 10의 힘) 클래스 비 휘발성 메모리의 실질적인 적용은 미래에 너무 멀지 않습니다
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