최근 전자 장치의 속도와 성능이 증가함에 따라 전자 회로 간의 신호 전송에는 속도가 필요했습니다 구리 배선을 사용한 기존의 신호 전송이 더욱 심각해졌으며 전기 저항으로 인한 열 발생 문제는 점점 더 심각해 졌으므로 구리 배선을 대체하고 전자 회로를 고속으로 연결하는 기술이 일본과 해외에서 더욱 대중화되고 있습니다 특히, 일본과 해외의 회사와 대학에서 수많은 연구가 수행되어 저렴한 비용으로 고속 전기/바카라 하는 법 변환 요소를 실현했습니다
PLZT 기반 세라믹 재료는 벌크 세라믹 소결 바디의 전압 적용으로 인해 매우 큰 굴절률 변화가있는 것으로 알려져 있으며 바카라 하는 법 배선 기술에 적용될 것으로 예상됩니다 그러나, SOL-GEL 방법과 같은 종래의 방법에 의해 PLZT가 얇아 질 때, 많은 마이크로 결함이 복잡한 산화물 세라믹 구조에서 발생하므로, 박막은 전기 바카라 하는 법 특성을 완전히 도출 할 수 없으며 전자 회로 간의 연결과 같은 미세 영역에 대한 적용이 도전으로 간주되었다
NEC (Nedo Nanotechnology Program/NANO-LEVEL Electronic Ceramic Material Material 저온 성형 및 통합 기술 프로젝트)와의 공동 연구 프로젝트에서, 우리의 연구 부서는 AIST가 개발 한 바카라 하는 법 묘사 (AD 메소드에 대해 언급 한 AD 메소드)를 사용하여 위에서 언급 한 광학 배선 기술 (광학 상호 연결)을 충족 할 수있는 초고속 EO 변조 요소를 개발하고 있습니다 AD 방법은 미묘한 직경의 원시 분말이 낮은 진공 하에서 고속으로 분무되어 10 내지 20 nm의 미세 결정으로 만들어진 조밀 한 세라믹 필름을 형성하는 기술이다 이 방법은 300 ° C 미만의 실온에서 1 μm/분 이상의 고속 세라믹 필름 형성을 허용합니다
이 개발에서, 우리는 AD 방법에 사용되는 원료 분말의 조성 제어 및 제조 공정을 개선하여 102pm/v(참고)(그림 1) 이 값은 기존의 고속 바카라 하는 법 조절기에 사용되는 전기 바카라 하는 법 박막 재료 인 리튬 니오 베이트의 약 6 배입니다 이로 인해 변조의 구동 전압을 기존 구동 전압의 1/6로 줄이고 변조 요소의 길이 1/6을 만들 수 있습니다 변조 요소의 소형화는 더 빠른 응답 속도를 허용하므로 전기/바카라 하는 법 변환 요소가 1V 이하의 낮은 전압을 구동함으로써 고속 100GHz에서 작동 할 수있을 것으로 예상됩니다
(참고)Electrooptic Constant
이것은 전기장의 적용으로 인한 굴절률 변화의 양의 비례 계수입니다 전기장 강도는 적용된 전압이 거리로 나뉘어지기 때문에, 전기 바카라 하는 법 상수의 단위는 거리 (PM : Picometer)/전압 (V : 볼트)이며, 전기 바카라 하는 법 효과가 증가함에 따라 적용된 전압은 그와 반비례 적으로 감소 될 수있다 또한, 광 변조 정도는 광이 통과되는 영역의 길이 및 굴절률 변화의 양에 비례하여, 전기 바카라 하는 법 효과가 증가함에 따라, 굴절률 변화 영역은 그것에 반비례 적으로 단축 될 수있다
| (유리 재료 + 강한 유도체 세라믹 재료 + 금속 물질의 미세 구조 통합) |
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그림 1 : Nanophotonics 재료를 사용한 초고속 정보 처리 기술 개발
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