국립 선진 산업 과학 기술 연구소 (Yoshikawa Hiroyuki 회장) (이하 "바카라 사이트"라고 함) 및 Seiko Instruments Co, Ltd (이하 "Chayama Yukihiko") (이하 "SII"라고 불림)는 둘이 소유하고 있습니다분할 게이트 타입 플래시 메모리와 관련된 특허에 대한 라이센스 계약에 서명했습니다 Sanyo Electric Co, Ltd
원하는만큼 전기적으로 메모리를 지우고 쓸 수 있습니다ROM인 플래시 메모리는 현재 컴퓨터, 디지털 카메라 및 홈 비디오 게임 콘솔과 같은 메모리 영역에서 널리 사용됩니다 분할 게이트 유형에는 데이터가 지워질 때 과도한 지우기 오류의 위험이 필요하지 않은 구조가 있으며 주변 회로를 단순화 할 수 있습니다
이번에 라이센스에 따른 특허는이 분할 게이트 유형 플래시 메모리와 관련이 있습니다소스 주입 (소스 측 분사)를 수행함으로써 저장된 정보를 읽는 영역을 크게 확장 할 수 있습니다 소스 주입은 전통적입니다배수 측면채널 주입 (배수 측면 주입)와 비교 하여이 기술은 글을 쓰는 동안 전류를 몇 배로 줄여 읽기를 보장하며 채널 길이의 소형화를 견딜 수 있습니다 또한,CMOS 논리 IC의 제조 공정을 쉽게 공유하는 것은 쉽습니다 플래시 메모리를위한 제조 공정으로 CMOS 로직 IC와 혼합하기에 적합합니다
이 특허 기술을 사용함으로써 플래시 메모리의 디자인 자유가 크게 증가하여 새로운 기술 시장에서의 경쟁력을 강화할 것입니다
이 기술은 고속 프로그래밍을 허용하므로 마이크로 컴퓨터에 내장 된 플래시 메모리로 이상적입니다 또한 현재 컴퓨터, 휴대 전화 등에 사용되는 플래시 메모리에 널리 적용될 것으로 예상되며 향후 중요한 기술이 될 것입니다 바카라 사이트와 SII는 플래시 메모리 기술을위한 많은 강력한 일본 및 외국 특허를 소유하고 있습니다 이 보유 결과를 광범위하게 사용하기 위해 특허 공개를 적극적으로 홍보 할 것입니다
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분할 게이트 타입 플래시 메모리 단면
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