반도체 전자 장치는 실리콘의 소형화를 통해 높은 통합, 속도 및 저전력 소비를 달성했습니다 그러나 최근에는 단순히 소형 디바이스를 통해 고속 및 저전력 소비를 달성하기가 어려워졌으며 새로운 재료와 원리를 기반으로 기능 장치를 실현하기위한 연구가 수행되고 있습니다

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이 연구에서 우리는 완전히 결함이없는 안전한 바카라 사이트이 산화 실리콘 표면에 흡착되었으며, 이는 반도체 장치에서 절연체 필름으로 사용되며, 당시 안전한 바카라 사이트의 전자 구조의 변화가 설명된다고 가정한다첫 번째 원칙 전자 상태 계산 방법^{참고 3)}를 사용하여 자세히 조사했습니다 이 경우, 실리콘 및 산소는 산화 실리콘의 구조 모델로 사용됩니다α Quartz^{참고 4)}구조를 갖는 산화 실리콘 산화물이 사용되었고, 표면이 완전히 매끄 럽다고 가정하면 계산이 이루어졌다 (도 1) 특히, 이전의 이전 연구와는 달리, 우리는 산화 실리콘 산화물 표면의 완전히 최적화 된 원자 구조를 안전한 바카라 사이트의 기질로 고려했으며,보다 현실적인 상호 작용을 밝혔습니다 일반적으로 분리 된 안전한 바카라 사이트은Fermi Level^{참고 5)}에서 상태 밀도가 높은 단일 금속이지만, 계산 결과는 실리콘 산화물의 안전한 바카라 사이트이 수십 MEV (Millielectron Volts)의 좁은 밴드 갭을 갖는 반도체임을 밝혀 냈습니다 (그림 2) 이 반도성은 안전한 바카라 사이트에서 전자에 의해 수신 된 국소 전위가 산화 실리콘을 형성하는 원자 및 전자에 의해 공간적으로 조절되기 때문이다 이는 실리콘 산화물 기질이 안전한 바카라 사이트이 마치 안전한 바카라 사이트이 이질적인 것처럼 탄소 원자의 특성을 효과적으로 만듭니다화합물 반도체^{참고 6)}처럼 행동에 응답합니다 또한, 반도체의 형성과 함께, 효과적인 안전한 바카라 사이트 전도성 전자의 효과적인 질량이 증가하고, 안전한 바카라 사이트의 특징 인 높은 전자 이동성이 상당히 감소된다 이 결과는 장치에서 안전한 바카라 사이트의 높은 전자 이동성을 이용하기 위해서는 기판으로 포괄적으로 처리되는 안전한 바카라 사이트 복합 구조의 전자 특성을 명확히하는 것이 중요하다는 것을 의미합니다 동시에, 안전한 바카라 사이트 및 절연체 기판의 복합 구조는 금속 인 안전한 바카라 사이트이 완벽한 2 차원 반도체 재료가 될 수있는 가능성을 나타낸다

실제 장치에서, 실리콘 산화물 필름은 비정질 구조를 가지며, 나노 미터 규모의 구조적 변동은 표면에 존재한다 우리는 이러한 구조로 표면에서 안전한 바카라 사이트의 전자 특성을 명확히 할 계획입니다 또한, 다른 절연체 기판에 대해 동일한 분석이 수행 될 것이다 또한, 우리는 기판과의 상호 작용을 적극적으로 사용하여 안전한 바카라 사이트 장치 구조와 그들의 물리적 특성의 이론적 예측을 설계 할 것입니다

“SIO의 표면에 흡착 된 안전한 바카라 사이트의 반도체 전자 특성₂”
((0001) sio₂위에 흡착 된 안전한 바카라 사이트의 반도체화)

참고 1) 안전한 바카라 사이트

안전한 바카라 사이트은 흑연 및 단일 계층의 흑연으로 구성된 2 차원 시트와 같은 재료이며, 연필 리드에도 사용되며 벌집 형 모양의 탄소 원자의 6 각형 네트워크를 갖는다 (도 1)[참조로 돌아 가기]

참고 2) 전자 운송 특성

물질에서 전자 전달의 용이성을 나타내는 특성 더 빠른 반도체 장치를 달성하려면 전자 이동성이라고도하며 이동성 향상이 필수적입니다[참조로 돌아 가기]

참고 3) 첫 번째 원칙 전자 상태 계산 방법

양자 역학의 기본 법칙에 기초하여 물질에서 전자 상태를 정확하게 결정하는 방법을 최초의 원칙 전자 상태 계산 방법이라고합니다 이 계산에서, 계산은 전자 상태 계산 방법 중 하나 인 유사 전용 방법을 사용하여 수행되었다[참조로 돌아 가기]

참고 4) 알파 쿼츠

실리콘과 산소로 만들어진 결정이며, 여러 EV (전자 볼트)의 밴드 갭이있는 절연체입니다 구조는 실리콘에 결합 된 4 개의 산소로 만들어졌으며 공식 조성물은 sio₂[참조로 돌아 가기]

주 5) Fermi Level

금속 점유 전자의 최고 에너지 상태[참조로 돌아 가기]

참고 6) 화합물 반도체

이종 요소로 구성된 반도체이며, 구성 요소의 국소 전위의 차이에 해당하는 밴드 갭이 있습니다[참조로 돌아 가기]