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업데이트 (mm/dd/yyyy) : 04/25/2002

라이브 바카라는 고성능 터널링 자석성 장치를 개발합니다

하이라이트

  • 라이브 바카라는 양자 크기 효과를 사용하여 새로운 유형의 고성능 터널링 자성상 (TMR) 장치를 개발했습니다
  • 라이브 바카라는 단결정 전극을 사용하여 고밀도 MRAM에 필요한 원자 적으로 평평한 전극을 얻는 데 성공했습니다
  • 라이브 바카라는 실리콘 LSI 칩에 고성능 TMR 장치를 제작하는 기술을 개발했습니다

요약

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이 새로운 기술을 사용하면 TMR 장치의 강자성 전극의 두께가 나노 미터 스케일로 감소 될 때 양자 크기 효과로 인한 신호 강도가 증가하고 자기 특성이 향상되었습니다 이러한 기술은 DRAM을 대체 할 것으로 예상되는 비 휘발성 메모리 (MRAM)의 용량을 증가시키는 데 문제를 해결하는 데 도움이 될 수 있습니다

단결정 강자성 전극 ((001)-지향 Fe)의 두께가 1 nm 근처에있을 때 최대 TMR 비율이 노출되었습니다 라이브 바카라는 이미이 두께를 달성하기위한 박막 생산 기술을 개발했습니다 구체적으로, 라이브 바카라는 TMR 장치의 전자를 만들어 MGO 시드 층을 사용하여 전극 표면을 원자 스케일로 평평하게 만들어 임의의 기판에서 고도로 방향의 원자 적 평평한 전극 층을 생성함으로써 결정 입자를 제거하는 기술을 개발했다

  • 양자 크기 효과로 인한 개선 된 TMR 장치 신호 강도 (TMR 비율)

    라이브 바카라는 단일 결정 박하 필름 제조 기술을 사용하여 얇고 두께가 얇고 매우 평평한 단일 결정 강자성 전극이있는 TMR 장치를 생산했습니다 이것은 양자 크기 효과로 인한 증가 된 TMR 비율의 첫 번째 데모입니다
  • 울트라 흐름을 달성하기 위해 단결정 전극 사용

    TMR 장치의 전극을 단일 결정질로 만들어 라이브 바카라는 결정 입자를 제거하는 데 성공했으며 전극 표면을 원자 수준에서 평평하게 만들었습니다
  • 실리콘 LSI 칩에 고성능 TMR 장치를 제조하기위한 새로운 기술 개발

    라이브 바카라는 이전에 MGO 시드 층을 사용하여 임의의 기판에서 고도로 배향 된 울트라 플랫 전극 층을 생성하기위한 기술을 개발했습니다 이와 동일한 기술은 이제 실리콘 LSI 칩에서 고성능 TMR 장치를 제조하는 데 사용되었습니다

미래의 목표는 단일 결정 전극이 장착 된 TMR 장치의 특성을 향상시키고 초트라 그레이트 레벨 MRAM을 실현하는 것입니다

이 연구 (TMR 장치 신호 강도 개선 (TMR 비율)은 라이브 바카라와 일본 과학 및 기술 회사 간의 협업 연구 계약을 기반으로했으며 전자의 전략적 기능 제어, 광자 등의 연구를 제작하는 지역의 전략적 제어를위한 전략적 창의적 연구를위한 프로젝트로 수행되었습니다






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