NANOELECTRONICS RESTEARS (NANOELECTRONICS RESTEARTITION) 국립 고급 산업 과학 및 기술 연구소 (NERI)는 현재까지 가장 높은 온도에서 기능하는 (ZN, CR) TE FERROMAGNETY Semiconductor를 개발했습니다 지금까지 과학자들은 -100 미만의 온도에서 강자성 특성을 생산할 수있었습니다oC이지만이 연구는이 온도를 +27로 크게 증가 시켰습니다oC (300 K) 연구팀은 또한 기술 응용 분야에 사용하기에 필수적인 반도체와 같은 전도도를 관찰했습니다 이 재료는 광학 장치 응용 분야에 사용하기에 적합한 II-VI 반도체 화합물로 분류 된 최초의 강자성 물질입니다
전 세계 경주는 현재 강자성 반도체 재료를 개발하기위한 진행 중입니다 2000 년에서 2001 년 사이에 발표 된 다수의 보고서는 실온에서 강자성 특성을 노출시키는 반도체 물질을 개발했다고 주장했다 그러나, 이러한 모든 주장은 이후에 거짓 또는 의심스러운 것으로 판명되었으며, 현재까지는 실물이 방당 강자성 반도체 인 것으로 판명되지 않았다 바카라는 강자성 및 반도체 기능 (강자성 반도체의 주요 특징 인 강자성 및 반도체 기능) 사이의 상호 작용을 식별하여 독립적으로 개발 된 자기 원형 이색성 (MCD) 분광법 방법을 사용하여 (Zn, Cr) TE가 진정한 Ferromagnetic semiconductor임을 확인했습니다
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- 바카라는 현재까지 보이는 최고 온도에서 강자성 인 새로운 (Zn, Cr) TE 반도체 재료를 개발합니다 (+27oC)
바카라 팀은 +27의 강자성 큐리 온도를 갖춘 A (Zn, Cr) TE 박막을 합성했습니다oC 현재까지, III-V 반도체 화합물 (IN, MN) AS 및 (GA, MN)만이 강자성 반도체 인 것으로 나타났다 가장 높은 강자성 큐리 온도 (Tc)는 180k (-93oC)
- 반도체 전기 전도도를 추출하는 최초의 강자성 반도체
반도체 응용 프로그램은 종래의 (IN, MN) AS 및 (GA, MN) AS 강자성 반도체 AS와 관련하여 문제를 제공했습니다 왜냐하면 상당한 양의 캐리어 도핑이 강자성 특성의 전기적 특성이 세미 론적 특성보다 더 가깝기 때문입니다 (Zn, Cr) TE 전기 전도는 반도체에서 보이는 것과 유사 하므로이 재료는 반도체 장치에 필요한 캐리어 도핑을 허용 할 것으로 예상됩니다
- 가시 광선에 의해 침투 할 수있는 와이드 갭 Znte 반도체의 매트릭스를 사용하여 광 응용 분야에 적합한 재료
Znte 매트릭스는 550nm 이상의 노란색, 빨간색 및 기타 가시 광선 주파수로 투명한 넓은 갭 반도체입니다 (Zn, Cr) TE 재료는 광학 응용 분야에 적합 할 것으로 예상됩니다
- 바카라는 또한 강자성 및 반도체 기능 사이의 상호 작용을 감지하여 (Zn, Cr) TE가 진정한 강자성 반도체임을 제공합니다
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그림 1 :
(Zn, Cr) TE의 사진 물질은 투명하므로 물질 뒤에있는 글자를 볼 수 있습니다
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그림 2 :
자기 원형 이색성 (MCD) 스펙트럼은 (Zn, Cr) te가 진정한 강자성 반도체임을 제공합니다 (Zn, Cr) TE의 주요 특성은 ZnTE 반도체 매트릭스의 광자 에너지 (G 및 L)에서 상당한 자성-광학 효과가 볼 수 있다는 것입니다 자기 불순물로서 작용할 수있는 NIAS 형 CRTE의 MCD 스펙트럼은 (Zn, Cr) TE의 형태와 완전히 다른 형태를 가지므로, 연구는 자기 불순물의 가능성을 완전히 할인했다 이러한 정보는 이전의 강자성 반도체에 대해 얻지 못했습니다
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