Tokyo-Toshiba Corporation (Tokyo : 6502)과 바카라 커뮤니티 (AIST)는 오늘 LSIS에 대한 리소그래피의 정확성을 약 20%향상시키는 마스크 패턴 최적화 기술의 공동 개발을 발표했습니다 이 기술은 현재 ARF 몰입 리소그래피의 수명을 차세대와 그 너머로 확장하기위한 문을 열어줍니다
마스크 패터닝에서 메인 회로 패턴의 해상도 및 임계 차원 (CD)의 정확도는 서브 패턴 인 SRAF (Sub Resolution Assist Feature)의 적용에 의해 향상되며, 이는 주 패턴의 인쇄 된 이미지를 변조합니다 리소그래피 노출이 해상도 제한에 접근함에 따라 SRAF 배치의 최적화가 점점 어려워지고 있습니다 새로운 기술은 최적의 그라디언트 방법을 기반으로 적응 형 검색 알고리즘을 적용하여 SRAF의 배치를 최적화하여 위치 및 CD 정확도를 약 20%향상시킵니다
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ARF 레이저 소스를 사용한 리소그래피는 고해상 변조를 사용하는 위상 조절 마스크 및 물을 사용하여 굴절 지수를 증가시키는 침지 리소그래피를 포함하여 고해상도 기술을 적용하여 30 나노 미터 생성으로 확장되었습니다 그러나 현재 ARF 몰입 리모그래피는 차세대에서 한계에 도달 할 것으로 예상되며, 업계는 석판화가 ARF 이중 패터닝 기술로 전환 될 것으로 예상하며, 이는 두 단계로 이미지를 인쇄하고 더 짧은 파장을 사용하는 EUV 석판화를 예상합니다 실시간 바카라와 AIST는 함께 노출 마스크를 개선하여 ARF 몰입 리소그래피의 수명을 연장하는 방법을 조사했습니다
SRAF 배치를 결정하는 방법에는 SRAF와 주 패턴 사이의 거리를 정의하는 데 기반한 규칙 기반 방법, 광학 비선형 기능을 사용하는 간섭 맵 방법 및 원하는 대상 패턴으로부터 역 작동에 기초한 역 리소그래피 방법이 포함됩니다 각각 고유 한 약점이 있습니다 배치 옵션 부족, 속도를 선호하는 최적의 배치에서 출발, 처리 시간이 길어집니다
이러한 약점을 극복하기 위해 실시간 바카라와 AIST는 최적의 SRAF 배치를 보호하기 위해 최적의 기울기 방법을 기반으로 적응 형 검색 알고리즘을 개발했습니다 새로운 검색 알고리즘은 로컬 검색을 수행하여 최적의 솔루션을 효율적으로 달성하기 위해 현재와 가장 가까운 최고의 솔루션을 반복적으로 찾습니다 이 방법의 적용은 CD 정확도를 6nm로 향상시켜 20% 개선입니다 간섭 맵 방법과 함께 사용되는 새로운 기술은 다른 방법보다 높은 정확도와 효율성을 달성합니다
SRAF 패터닝 최적화 절차